数据列表：IP(D,F,S,U)105N03L G

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：35A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1500pF @ 15V

功率 - 最大值：38W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD105N03LGIPD105N03LGATMA1IPD105N03LGINTRIPD105N03LGXTSP000254717SP000796910